霍尔效应法测量螺线管磁场实验数据(霍尔效应法测量螺线管磁场实验报告误差分析)

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基于霍尔效应法的螺线管磁场测定

霍尔效应测量螺线管轴线磁场分布的原理介绍如下:霍尔效应是磁电效应的一种,当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这个电势差就被叫做霍尔电势差。

使用霍尔效应法测量螺线管的磁场可以通过以下步骤进行分部:准备实验设备:螺线管和霍尔元件。螺线管是产生磁场的源,而霍尔元件可以检测磁场强度。安装霍尔元件:将霍尔元件放置在待测磁场区域内。确保霍尔元件与螺线管之间的距离保持一致,以获取准确的磁场数据。

霍尔效应是指当电流通过一个垂直于磁场的导体时,导体两侧会产生横向电压差,这个现象称为霍尔效应。利用霍尔效应可以测量电流、磁场等物理量。在螺线管磁场测定中,可以利用霍尔效应来测量螺线管中心的磁场强度。螺线管是由导线卷成螺旋形而成的装置,当通过螺线管的电流变化时,会产生磁场。

因为用霍尔元件测量时,实际上测出来的电压值不完全是霍尔电压UH,还包括厄廷豪森效应电压UE、能斯脱效应电压UN、里纪-勒杜克效应电压URl、不等势电压差U0 这些都是副效应 为了消除这些副效应,根据它的磁场强度B和电流IS的方向有关的特性,通过改变B和IS的方向可达到消除他们的目的。

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1、B=μnIm,μ是磁导率,n是沿轴线的绕线密度。

2、受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集,在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场,此电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力,使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移,此称为霍尔效应。

3、霍尔效应由美国物理学家E.霍尔于1879年在实验中发现,以其人名命名并流传于世。其核心理论就是,带电粒子(例如电子)在磁场中运动时会受到洛伦兹力的作用发生偏转,那么在磁场中的电流也有可能发生偏转。假设导体为一个长方体,长度分别为a、b、d,磁场垂直ab平面。

4、磁感应强度的计算公式为B=F/IL=F/qv=E/v =Φ/S 其中在磁场中垂直于磁场方向的通电导线所受的安培力为F,电流大小为I,而导线长度为L。电荷量为q,速度为v,电场强度为E,磁通量为Φ,S为面积。

5、B=K(m)I(m或s).其中K(m)是读出来的,I(m)或I(s)是做实验时各自固定的一个电流,括号内的字母是下标。

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有励磁电流通过螺线管,即有待测B 样品置于B中 样品有恒定电流通过。在样品纵向就有霍尔电压产生,用导线输出测量电压,从而可以计算处螺线管的磁场。

测量圆电流线圈轴线上磁场的分布 接好电路。调节磁场实验仪的输出功率,使励磁电流有效值为I=200mA,以圆电流线圈中心为坐标原点,每隔0 mm测一 个Umax值,测量过程中注意保持励磁电流值不变,记录数据并作出磁场分布曲线图。

霍尔效应实验报告包含:实验目的、实验仪器设备、实验的基本构思和原理、实验数据记录及处理、实验结论、注意事项等。目的与要求:(1)了解霍尔效应测量磁场的原理和方法;(2) 观察磁电效应现象;(3) 学会用霍尔元件测量磁场及元件参数的基本方法。

实验表明:霍尔电压 与霍尔元件工作电流 、直螺线管的励磁电流 间成线性的关系。

所以要注意的是放置的位置要垂直于磁力线方向,这样测量的结果才会较准。

最终,他们利用分子束外延方法,生长出了高质量的Cr掺杂(Bi,Sb) 2Te3拓扑绝缘体磁性薄膜,并在极低温输运测量装置上成功观测到了量子反常霍尔效应。这项研究成果将推动新一代低能耗晶体管和电子学器件的发展,可能加速推进信息技术革命进程。3月14日,该成果发表于美国《科学》杂志。

霍尔效应实验报告

1、霍尔效应实验报告包含:实验目的、实验仪器设备、实验的基本构思和原理、实验数据记录及处理、实验结论、注意事项等。目的与要求:(1)了解霍尔效应测量磁场的原理和方法;(2) 观察磁电效应现象;(3) 学会用霍尔元件测量磁场及元件参数的基本方法。

2、物理实验报告 实验名称: 霍尔效应原理及其应用 实验目的: 了解霍尔效应产生原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力 作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。

3、(2)能斯特效应引起的电势差 。焊点2间接触电阻可能不同,通电发热程度不同,故2两点间温度可能不同,于是引起热扩散电流。与霍尔效应类似,该热扩散电流也会在4点间形成电势差 。若只考虑接触电阻的差异,则 的方向仅与磁场 的方向有关。(3)里纪-勒杜克效应产生的电势差 。

霍尔效应及其参数测定实验数据

1、霍尔效应是指在电导体中,当电流经过时,垂直于电流方向施加磁场时,会产生的横向电势差。测量霍尔效应需要测定一些参数,包括磁场强度、电流强度、霍尔电压、导体厚度等等。以下是一组可能的实验数据:磁场强度(T):0.1,0.2,0.3,0.4,0.5。

2、霍尔效应实验报告包含:实验目的、实验仪器设备、实验的基本构思和原理、实验数据记录及处理、实验结论、注意事项等。目的与要求:(1)了解霍尔效应测量磁场的原理和方法;(2) 观察磁电效应现象;(3) 学会用霍尔元件测量磁场及元件参数的基本方法。

3、霍尔元件灵敏度KH一般在0.1~0.5mV/(mA.G)。霍尔元件的灵敏度与霍尔系数成正比,而与霍尔元件的厚度δ成反比,即KH=RH/δ,单位为mV/(mA.G),它通常可以表征霍尔常数。另外,如果是指大学物理里的霍尔实验那个灵敏度值,具体还得看实验用具。霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。

4、霍尔效应及其应用汪礼胜武汉理工大学物理实验中心【实验目的】研究霍尔效应的基本特性(1)了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识;(2)测绘霍尔元件的VI和VI曲线;(3)确定霍尔元件的导电类型,测量其霍尔系数、载流子浓度以及迁移率。

5、我昨天才做的这个实验。。Is=nevS,S=bd,VH=EH*B,so VH=Is*B/(ned)RH=1/(ne),KH=1/(ned)你说的K是什么。。

6、.选做部分数据处理 (1)根据测量数据,近似画出亥姆霍兹线圈轴线平面上的磁感应线分布图。(2)与亥姆霍兹线圈磁场比较,分析当两个圆线圈通大小相等方向相反电流时磁场分布特点。【注意事项】1.仪器使用时,应避开周围有强烈磁场源的地方。2.开机后,预热10分钟左右,方可进行实验。

螺线管霍尔元件的灵敏度是多少

1、一般霍尔元件灵敏度是0.1~0.5mV/(mA.G)之间。早在1879年人们就在金属中发现了霍尔效应,1910年就有人用铋制成了霍尔元件,用以测量磁场。但由于这种效应在金属中十分微弱,当时并没有引起什么重视。

2、霍尔元件灵敏度KH一般在0.1~0.5mV/(mA.G)。霍尔元件的灵敏度与霍尔系数成正比,而与霍尔元件的厚度δ成反比,即KH=RH/δ,单位为mV/(mA.G),它通常可以表征霍尔常数。另外,如果是指大学物理里的霍尔实验那个灵敏度值,具体还得看实验用具。

3、霍尔元件灵敏度KH一般在0.1~0.5mV/(mA.G)。霍尔元件的灵敏度与霍尔系数成正比,而与霍尔元件的厚度δ成反比,即KH=RH/δ,单位为mV/(mA.G),它通常可以表征霍尔常数。另外,如果是指大学物理里的霍尔实验那个灵敏度值,具体还得看实验用具。霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。

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